Глава 19.2 Характер зависимости сопротивления фонтанирующего слоя от расхода газа

Оценка пика давления имеет практическое значение при выборе дутьевых устройств для установок с фонтанирующим слоем и может быть дана, например по критерию Ev_max [87]

генизации, в которой содержатся частицы с одинаковой скоростью витания (более тяже­лые опускаются в III зону).

Аппараты свободного фонтанирования яв­ляются авторегулирующимися, так как недо­статочно обработанный материал не может покинуть аппарат.

Среди достоинств и недостатков режимов фонтанирования следует выделить следующие: гидродинамическая устойчивость фонтани­рующего слоя значительно выше, чем кипя­щего;

гидродинамическая модель фонтанирующего слоя имеет лучшие показатели, чем кипящего слоя (число теоретических ячеек смешения составляет примерно 3—6); гидродинамическая модель слоя свободного фонтанирования намного лучше, чем у КС и ФС (число теоретических ячеек достигает 20—30);

режим фонтанирующего слоя позволяет обрабатывать мате­риалы с высоким показателем полидисперсности i>50—60, в то время как кипящий слой только с i = 10, промежуточное поло­жение между этими режимами занимает режим свободного фон­танирования;

при обработке материалов в режиме фонтанирующего слоя происходит накопление больших зарядов статического электри­чества; они значительно ниже при режиме свободного фонтани­рования;

фонтанирующий слой имеет более высокую нагрузку по газо­вой фазе, чем кипящий;

сложность масштабного перехода при увеличении размеров аппарата, так как при этом происходит вырождение фонтани­рующего слоя и образование высокого перепада давлений в слое.